Продукція > DIODES INC > DMN6070SSD-13
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13 Diodes Inc


294dmn6070ssd.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6070SSD-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN6070SSD-13 за ціною від 9.74 грн до 59.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 212500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.44 грн
5000+ 11.07 грн
7500+ 10.61 грн
12500+ 9.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
на замовлення 112273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+30.06 грн
13+ 25.38 грн
100+ 16.68 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 10.86 грн
2500+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
333+36.65 грн
476+ 25.59 грн
481+ 25.34 грн
618+ 19.01 грн
1000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 333
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.61 грн
18+ 34.37 грн
25+ 34.03 грн
100+ 22.92 грн
250+ 21.01 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 212762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
11+ 27.43 грн
100+ 18.73 грн
500+ 13.83 грн
1000+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6070SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+49.36 грн
14+ 28.39 грн
25+ 19.22 грн
66+ 13.16 грн
180+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6070SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.23 грн
8+ 35.38 грн
25+ 23.07 грн
66+ 15.79 грн
180+ 14.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Виробник : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності