на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6066SSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMN6066SSS-13 за ціною від 17.47 грн до 59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6066SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN6066SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN6066SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DMN6066SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMN6066SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 23A; 2.81W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.81W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 23A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMN6066SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 23A; 2.81W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.81W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 23A |
товар відсутній |