DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7 Diodes Zetex


1049dmn6040svtq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.61 грн
6000+ 9.36 грн
9000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6040SVTQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN6040SVTQ-7 за ціною від 9.47 грн до 49.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.35 грн
6000+ 10.08 грн
9000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.78 грн
6000+ 13.65 грн
9000+ 12.75 грн
30000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6040SVTQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.84 грн
6000+ 14.48 грн
9000+ 13.44 грн
30000+ 12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.05 грн
81000+ 16.5 грн
162000+ 15.34 грн
243000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6040SVTQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 266194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.35 грн
10+ 38.65 грн
100+ 26.89 грн
500+ 19.7 грн
1000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6040SVTQ.pdf MOSFET 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.06 грн
10+ 41.59 грн
100+ 27.05 грн
500+ 21.24 грн
1000+ 16.43 грн
3000+ 14.78 грн
9000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : Diodes Inc 1049dmn6040svtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6040SVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN6040SVTQ-7 DMN6040SVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6040SVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
товар відсутній