DMN6040SK3Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.51 грн |
| 5000+ | 20.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6040SK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN6040SK3Q-13 за ціною від 20.24 грн до 62.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN6040SK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Виробник : Diodes Zetex |
High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Виробник : Diodes Inc |
High Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Виробник : Diodes Zetex |
High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 17W; TO252 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
товар відсутній |