DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.15 грн |
5000+ | 16.26 грн |
7500+ | 16.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN6022SSD-13 за ціною від 16.89 грн до 59.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6022SSD-13 Код товару: 178551 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 45A; 1.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape On-state resistance: 34mΩ Drain current: 5A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 32nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DMN6022SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 45A; 1.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape On-state resistance: 34mΩ Drain current: 5A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 32nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Case: SO8 |
товару немає в наявності |