DMN601DWK-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN601DWK-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN601DWK-7 за ціною від 6.73 грн до 27.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 478033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Channel |
на замовлення 58594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN601DWK-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMN601DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of package: reel; tape Gate charge: 304pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMN601DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of package: reel; tape Gate charge: 304pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |