Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN6017SK3-13
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated

DMN6017SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.81 грн
5000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN6017SK3-13 за ціною від 14.19 грн до 43.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN6017SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
на замовлення 11367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.15 грн
10+ 32.53 грн
100+ 22.51 грн
500+ 17.65 грн
1000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383571_1-2542376.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.88 грн
10+ 37.38 грн
100+ 22.57 грн
500+ 18.81 грн
1000+ 16.04 грн
2500+ 14.62 грн
5000+ 14.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN6017SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6017SK3.pdf DMN6017SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності