DMN5L06KQ-7

DMN5L06KQ-7 DIODES INC.


DIOD-S-A0011396957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.22 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN5L06KQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN5L06KQ-7 за ціною від 3.02 грн до 31.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011396957_1-2543774.pdf MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 149540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.21 грн
17+ 19.56 грн
100+ 10.75 грн
1000+ 4.78 грн
3000+ 4.22 грн
9000+ 3.23 грн
24000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011396957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.14 грн
37+ 21.52 грн
100+ 12.22 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : Diodes Inc 112ds30929.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN5L06K_Mar2014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 800mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN5L06K_Mar2014.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
товар відсутній
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN5L06K_Mar2014.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
товар відсутній
DMN5L06KQ-7 DMN5L06KQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN5L06K_Mar2014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 800mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній