DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated


ds31330.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA
на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.77 грн
15+ 22.31 грн
100+ 10.96 грн
1000+ 5.55 грн
3000+ 4.85 грн
9000+ 3.87 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.16A, Pulsed drain current: 560A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT523, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 295nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 10 шт.

Інші пропозиції DMN55D0UTQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN55D0UTQ-7 DMN55D0UTQ-7 Виробник : Diodes Inc ds31330.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMN55D0UTQ-7 DMN55D0UTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31330.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 295nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMN55D0UTQ-7 DMN55D0UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31330.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товар відсутній
DMN55D0UTQ-7 DMN55D0UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31330.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
товар відсутній
DMN55D0UTQ-7 DMN55D0UTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31330.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 295nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній