на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN53D0U-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN53D0U-7 за ціною від 2.09 грн до 22.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V |
на замовлення 909000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs |
на замовлення 57747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 520mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V |
на замовлення 915261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN53D0U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; Idm: 0.5A; 0.52W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.52W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN53D0U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; Idm: 0.5A; 0.52W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.52W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |