DMN52D0UVT-7 Diodes Zetex


DMN52D0UVT.pdf Виробник: Diodes Zetex
MOSFET BVDSS: 41V60V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN52D0UVT-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500µW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMN52D0UVT-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN52D0UVT-7 DMN52D0UVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0UVT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500µW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товар відсутній
DMN52D0UVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0UVT.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній