Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN52D0LT-7
DMN52D0LT-7

DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated

DMN52D0LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.39 грн
6000+ 3.92 грн
9000+ 3.25 грн
30000+ 3 грн
75000+ 2.69 грн
150000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN52D0LT-7 за ціною від 2.99 грн до 28.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 161965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.32 грн
17+ 17.24 грн
100+ 8.42 грн
500+ 6.59 грн
1000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN52D0LT-3103735.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.63 грн
17+ 19.35 грн
100+ 10.64 грн
1000+ 4.8 грн
3000+ 4.1 грн
9000+ 3.2 грн
24000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN52D0LT-7 Виробник : Diodes Zetex dmn52d0lt.pdf 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній