![DMN4468LSS-13 DMN4468LSS-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5741/31%7E8SO-3.9%7E%7E8.jpg)
DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated
![ds31773.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 10.23 грн |
5000+ | 9.35 грн |
12500+ | 8.68 грн |
25000+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN4468LSS-13 за ціною від 9.35 грн до 33.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V |
на замовлення 81688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN4468LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.52W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN4468LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.52W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |