DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.36 грн |
| 5000+ | 10.39 грн |
| 12500+ | 9.65 грн |
| 25000+ | 8.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V.
Інші пропозиції DMN4040SK3-13 за ціною від 9.63 грн до 36.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V |
на замовлення 106650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A |
на замовлення 17864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 50A; 8.9W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 8.9W Gate charge: 18.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
DMN4040SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 50A; 8.9W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 8.9W Gate charge: 18.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 54mΩ |
товар відсутній |