Продукція > DIODES ZETEX > DMN4031SSDQ-13
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13 Diodes Zetex


dmn4031ssdq.pdf Виробник: Diodes Zetex
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4031SSDQ-13 Diodes Zetex

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 5.6A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 2.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Case: SO8, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DMN4031SSDQ-13 за ціною від 17.01 грн до 52.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn4031ssdq.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmn4031ssdq.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4031SSDQ.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 40V 20Vgss 20A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.91 грн
10+ 44.98 грн
100+ 27.13 грн
500+ 22.6 грн
1000+ 19.3 грн
2500+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Inc 1042dmn4031ssdq.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN4031SSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4031SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
товар відсутній
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN4031SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC
товар відсутній
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN4031SSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній