DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V
на замовлення 19456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 17.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 0.0055 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN4008LFG-7 за ціною від 16.15 грн до 63.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4008LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4008LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 0.0055 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN4008LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3537 pF @ 20 V |
на замовлення 21832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4008LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC |
на замовлення 3742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN4008LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 0.0055 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4008LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 74nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMN4008LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN4008LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W Drain-source voltage: 40V Drain current: 15.4A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 74nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
товар відсутній |