Продукція > DIODES INC > DMN3200U-7
DMN3200U-7

DMN3200U-7 Diodes Inc

1129967298501120ds31188.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3200U-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN3200U-7 за ціною від 6.33 грн до 32.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 573000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.7 грн
6000+ 8.34 грн
9000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.77 грн
6000+ 8.1 грн
9000+ 7.29 грн
30000+ 6.74 грн
75000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.31 грн
6000+ 8.92 грн
9000+ 8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.45 грн
40+ 10.43 грн
100+ 9.18 грн
110+ 7.99 грн
300+ 7.56 грн
3000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.59 грн
500+ 11.24 грн
1500+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31188.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.14 грн
25+ 13 грн
100+ 11.02 грн
110+ 9.59 грн
300+ 9.07 грн
3000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+26.14 грн
30+ 20.54 грн
33+ 18.87 грн
100+ 12.56 грн
250+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002238205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3200U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.22 грн
50+ 21.44 грн
100+ 15.59 грн
500+ 11.24 грн
1500+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 501561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.05 грн
13+ 24.32 грн
100+ 14.58 грн
500+ 12.67 грн
1000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31188.pdf MOSFET 650mW 30Vdss
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.92 грн
14+ 24.42 грн
100+ 12.63 грн
1000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN3200U-7 DMN3200U-7 Виробник : Diodes Zetex 1129967298501120ds31188.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній