Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D6UT-13
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated

DMN31D6UT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V
на замовлення 950000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.87 грн
30000+ 2.71 грн
50000+ 2.44 грн
100000+ 2.03 грн
250000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.6 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D6UT-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN31D6UT-13 DMN31D6UT-13 Виробник : Diodes Inc 181dmn31d6ut.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMN31D6UT-13 DMN31D6UT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002960622_1-2542129.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
товар відсутній