Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN31D5L-13
DMN31D5L-13

DMN31D5L-13 Diodes Incorporated

DMN31D5L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.41 грн
30000+ 3.23 грн
50000+ 2.9 грн
100000+ 2.41 грн
250000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN31D5L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN31D5L-13 за ціною від 2.95 грн до 28.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN31D5L-13 DMN31D5L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN31D5L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.61 грн
17+ 17.42 грн
100+ 8.5 грн
500+ 6.65 грн
1000+ 4.62 грн
2000+ 4.01 грн
5000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN31D5L-13 DMN31D5L-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645120_1-2542905.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 59850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.21 грн
17+ 19.08 грн
100+ 10.54 грн
1000+ 4.71 грн
2500+ 4.15 грн
10000+ 3.3 грн
50000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN31D5L-13 DMN31D5L-13 Виробник : Diodes Inc dmn31d5l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній