DMN3065LW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 430000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.13 грн |
| 30000+ | 5.83 грн |
| 50000+ | 4.95 грн |
| 100000+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3065LW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3065LW-13 за ціною від 5.17 грн до 34.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3065LW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
на замовлення 451252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3065LW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.77W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN3065LW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.77W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |