DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W, Mounting: SMD, Case: X4-DSN1006-3, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.88W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 1.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 0.16Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN3061LCA3-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3061LCA3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006 |
товар відсутній |
||
| DMN3061LCA3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K |
товар відсутній |
||
| DMN3061LCA3-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W Mounting: SMD Case: X4-DSN1006-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.88W Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |