DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated


DMN3060LCA3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
15+ 20.35 грн
100+ 12.22 грн
500+ 10.62 грн
1000+ 7.22 грн
2000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V, Power Dissipation (Max): 790mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: X4-DSN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3060LCA3-7 за ціною від 5.83 грн до 29.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011756511_1-2543786.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 8370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.77 грн
15+ 22.63 грн
100+ 10.96 грн
1000+ 6.89 грн
2500+ 6.61 грн
10000+ 5.9 грн
20000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Inc dmn3060lca3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A T/R
товар відсутній
DMN3060LCA3-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 20A; 1.35W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.118nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3060LCA3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
товар відсутній
DMN3060LCA3-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3060LCA3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 20A; 1.35W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.118nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
товар відсутній