Технічний опис DMN3053L-13 Diodes Inc
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, On-state resistance: 55mΩ, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 0.8W, Drain-source voltage: 30V, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 17.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 35A, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN3053L-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3053L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 55mΩ Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.8W Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
DMN3053L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
DMN3053L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMN3053L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 55mΩ Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.8W Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |