DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN3033LDM-7 за ціною від 7.83 грн до 37.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3033LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3033LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3033LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V |
на замовлення 13649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3033LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET NMOS-SINGLE |
на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3033LDM-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |