на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3024LSD-13 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції DMN3024LSD-13 за ціною від 11.82 грн до 45.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3024LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3024LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 5.8A Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Power dissipation: 1.3W |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3024LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 5.8A Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Power dissipation: 1.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3024LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL |
на замовлення 74998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3024LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 252365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|