DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED


Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.4A; Idm: 50A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.4A; Idm: 50A; 1.3W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 14nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9.4A, On-state resistance: 20mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 10000 шт.

Інші пропозиції DMN3021LFDF-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3021LFDF-13 DMN3021LFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0002833163-1-1749040.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN3021LFDF-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.4A; Idm: 50A; 1.3W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній