на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 10+ | 62.32 грн |
| 100+ | 41.54 грн |
| 500+ | 32.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3013LFG-7 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.6A; Idm: 80A; 1.25W, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 1.25W, Gate charge: 5.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 7.6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET x2, On-state resistance: 17.7mΩ, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMN3013LFG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.6A; Idm: 80A; 1.25W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 5.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 17.7mΩ Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DMN3013LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.6A; Idm: 80A; 1.25W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.25W Gate charge: 5.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 17.7mΩ Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |