DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13 Diodes Zetex


109dmn3009sk3.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 760000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3009SK3-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3009SK3-13 за ціною від 11.44 грн до 63.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3009SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 675000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.64 грн
5000+ 13.38 грн
12500+ 12.43 грн
25000+ 11.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3009SK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 676440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.34 грн
10+ 35.8 грн
100+ 24.86 грн
500+ 18.21 грн
1000+ 14.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383577_1-2542296.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 39.93 грн
100+ 24.11 грн
500+ 18.91 грн
1000+ 15.39 грн
2500+ 12.65 грн
10000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.83 грн
16+ 23.14 грн
25+ 20.79 грн
53+ 16 грн
146+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.39 грн
10+ 28.83 грн
25+ 24.95 грн
53+ 19.2 грн
146+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Виробник : Diodes Inc 109dmn3009sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній