DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated


DMN3008SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
на замовлення 2998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.09 грн
10+ 44.21 грн
100+ 26.22 грн
500+ 21.93 грн
1000+ 18.7 грн
3000+ 16.52 грн
6000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 18.4A, On-state resistance: 5.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 86nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 150A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції DMN3008SFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3008SFG-13 DMN3008SFG-13 Виробник : Diodes Inc 1377043064670856dmn3008sfg.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN3008SFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN3008SFG-13 DMN3008SFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3008SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
товар відсутній
DMN3008SFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.4A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
товар відсутній