на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 32.1 грн |
| 13+ | 25.96 грн |
| 100+ | 11.99 грн |
| 500+ | 7.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 620mA; Idm: 1.5A; 920mW, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 620mA, On-state resistance: 1.8Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 920mW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 410pC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 1.5A, Mounting: SMD, Case: X1-DFN1006-3, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN2990UFB-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN2990UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- |
на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| DMN2990UFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 620mA; Idm: 1.5A; 920mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 620mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 920mW Polarisation: unipolar Gate charge: 410pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||
| DMN2990UFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 620mA; Idm: 1.5A; 920mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 620mA On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 920mW Polarisation: unipolar Gate charge: 410pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 |
товар відсутній |