DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
на замовлення 4220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 8.14 грн |
| 30000+ | 7.73 грн |
| 50000+ | 7.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2990UFA-7B за ціною від 8.04 грн до 45.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V |
на замовлення 4238532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K |
на замовлення 8412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.51A 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.33A; 0.4W; X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.33A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.33A; 0.4W; X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.33A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 |
товар відсутній |