DMN2710UTQ-7

DMN2710UTQ-7 Diodes Incorporated


DMN2710UTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.22 грн
6000+ 4.81 грн
9000+ 4.16 грн
30000+ 3.83 грн
75000+ 3.17 грн
150000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2710UTQ-7 за ціною від 3.67 грн до 32.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UTQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29 грн
16+ 19.55 грн
100+ 9.88 грн
500+ 7.56 грн
1000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2710UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UTQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 44750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.92 грн
14+ 23.36 грн
100+ 11.57 грн
1000+ 7.19 грн
3000+ 6.07 грн
45000+ 3.88 грн
99000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2710UTQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn2710utq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній