DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.94 грн |
| 30000+ | 3.72 грн |
| 50000+ | 3.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2550UFA-7B за ціною від 3.37 грн до 28.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2550UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V |
на замовлення 369475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2550UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC |
на замовлення 21268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2550UFA-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2550UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 880pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2550UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 880pC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A |
товар відсутній |