DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.35 грн |
| 6000+ | 8.63 грн |
| 9000+ | 7.77 грн |
| 30000+ | 7.18 грн |
| 75000+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300UFL4-7 за ціною від 8.18 грн до 42.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.39W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 179970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS |
на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2300UFL4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.2nC |
товар відсутній |