Продукція > DIODES INC > DMN2300UFB4-7B
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B Diodes Inc

dmn2300ufb4.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2300UFB4-7B Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN2300UFB4-7B за ціною від 3.23 грн до 24.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1894+3.94 грн
3000+ 3.87 грн
6000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 1894
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2841+4.24 грн
3000+ 4.16 грн
6000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 2841
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.54 грн
250+ 7.45 грн
1000+ 4.98 грн
5000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 418202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.29 грн
21+ 14.28 грн
100+ 7.18 грн
500+ 5.5 грн
1000+ 4.08 грн
2000+ 3.43 грн
5000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf MOSFET 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
на замовлення 77747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.88 грн
22+ 15.28 грн
100+ 5.62 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+24.68 грн
83+ 9.54 грн
250+ 7.45 грн
1000+ 4.98 грн
5000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 32
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній