![DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/8/8/11/2/17/357169/dds_/manual/x2-dfn1006-3.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300UFB4-7B Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300UFB4-7B за ціною від 3.23 грн до 24.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 9687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 9687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 418202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 77747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.96A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.96A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |