на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2075UDW-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2075UDW-7 за ціною від 4.61 грн до 32.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DMN2075UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 20A; 580mW; SOT363 Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.58W Gate charge: 7nC Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SOT363 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN2075UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 20A; 580mW; SOT363 Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.58W Gate charge: 7nC Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SOT363 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD |
товар відсутній |