DMN2053UQ-13

DMN2053UQ-13 Diodes Incorporated


DMN2053UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2053UQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2053UQ-13 за ціною від 3.19 грн до 26.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2053UQ-13 DMN2053UQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2053UQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.57 грн
19+ 16.41 грн
100+ 8.29 грн
500+ 6.35 грн
1000+ 4.71 грн
2000+ 3.96 грн
5000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN2053UQ-13 Виробник : Diodes Zetex DMN2053UQ.pdf DMN2053UQ-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2053UQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2053UQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 9394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.99 грн
17+ 19.83 грн
100+ 9.79 грн
1000+ 5.04 грн
2500+ 4.33 грн
10000+ 3.41 грн
20000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN2053UQ-13 Виробник : Diodes Zetex DMN2053UQ.pdf DMN2053UQ-13
товару немає в наявності
DMN2053UQ-13 Виробник : Diodes Inc DMN2053UQ.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності