DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 8.29 грн |
| 30000+ | 7.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 730mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN2050LFDB-13 за ціною від 7.25 грн до 29.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 730mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 54109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 9602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A |
на замовлення 47970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2050LFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2050LFDB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 25A; 900mW Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2050LFDB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 25A; 900mW Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
товар відсутній |