на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.05 грн |
| 5000+ | 21.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMHC3025LSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMHC3025LSD-13 за ціною від 18.19 грн до 66.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 942500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMHC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 953094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS |
на замовлення 66939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMHC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMHC3025LSD-13 Код товару: 181374 |
Мікросхеми > Транзисторні збірки |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMHC3025LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMHC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Kind of package: tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMHC3025LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Kind of package: tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |