DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6602SVTQ-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG6602SVTQ-7 за ціною від 4.98 грн до 25.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6602SVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6602SVTQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A On-state resistance: 0.06/0.095Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.84W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25...-20A Case: TSOT26 |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6602SVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET |
на замовлення 453234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A On-state resistance: 0.06/0.095Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.84W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25...-20A Case: TSOT26 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 93841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|