DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3822000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung Pd: 840mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMG6602SVT-7 за ціною від 3.95 грн до 35.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 3824445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K |
на замовлення 661626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD On-state resistance: 0.06/0.095Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.112W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TSOT26 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A |
на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD On-state resistance: 0.06/0.095Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.112W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TSOT26 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung Pd: 840mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товар відсутній |