DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated


DMG4822SSDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.94 грн
5000+ 21.31 грн
7500+ 20.43 грн
12500+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG4822SSDQ-13 за ціною від 20.58 грн до 75.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4822ssdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.73 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4822SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 589853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.42 грн
10+ 51.23 грн
100+ 35.43 грн
500+ 27.79 грн
1000+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567137_1-2542608.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.99 грн
10+ 57.13 грн
100+ 34.42 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 24.49 грн
2500+ 21.72 грн
5000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.32 грн
13+ 62.5 грн
100+ 39.73 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4822ssdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
DMG4822SSDQ-13 Виробник : Diodes Inc dmg4822ssdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
DMG4822SSDQ-13 DMG4822SSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4822SSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товару немає в наявності