DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 23.94 грн |
5000+ | 21.31 грн |
7500+ | 20.43 грн |
12500+ | 18.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG4822SSDQ-13 за ціною від 20.58 грн до 75.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 575000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 589853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.42W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 32.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.42W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 32.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товару немає в наявності |