Продукція > DIODES INC. > DMC67D8UFDBQ-7
DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7 DIODES INC.

3199736.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.6 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMC67D8UFDBQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMC67D8UFDBQ-7 за ціною від 6.28 грн до 24.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMC67D8UFDBQ-7 DMC67D8UFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMC67D8UFDBQ-7 DMC67D8UFDBQ-7 Виробник : DIODES INC. 3199736.pdf Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.68 грн
60+ 13.46 грн
100+ 8.6 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMC67D8UFDBQ-7 Виробник : Diodes Inc dmc67d8ufdbq.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
DMC67D8UFDBQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMC67D8UFDBQ.pdf DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності