DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.63 грн |
| 5000+ | 21.04 грн |
| 7500+ | 20.17 грн |
| 12500+ | 18.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMC4040SSD-13 за ціною від 20.52 грн до 76.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC4040SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMC4040SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET COMP NPN |
на замовлення 34876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMC4040SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMC4040SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 261151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMC4040SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 7.3/-7.5A On-state resistance: 0.04/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMC4040SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 7.3/-7.5A On-state resistance: 0.04/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 788 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMC4040SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |