DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.98 грн |
| 5000+ | 22.79 грн |
| 12500+ | 21.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC4029SSDQ-13 за ціною від 20.79 грн до 76.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC4029SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4029SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W |
на замовлення 8127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4029SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC4029SSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |