DMC3730UFL3-7 Diodes Zetex
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3730UFL3-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC3730UFL3-7 за ціною від 4.74 грн до 41.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3730UFL3-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 68349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3730UFL3-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMC3730UFL3-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |