DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.9 грн |
| 5000+ | 13.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMC3016LSD-13 за ціною від 12.34 грн до 46.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.028/0.016Ω Kind of package: reel; tape Drain current: 8.2/-6.2A Drain-source voltage: 30/-30V Case: SO8 Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.2W |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.028/0.016Ω Kind of package: reel; tape Drain current: 8.2/-6.2A Drain-source voltage: 30/-30V Case: SO8 Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC |
на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC3016LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |