![DMC1018UPD-13 DMC1018UPD-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1273/31%3BPowerDI5060-8TypeC%3B%3B8.jpg)
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated
![DMC1018UPD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 16.9 грн |
5000+ | 15.42 грн |
12500+ | 14.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMC1018UPD-13 за ціною від 15.18 грн до 48.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMC1018UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMC1018UPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMC1018UPD-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |