![DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/FB/42/01/00/0/1057983_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=dcee404cf42f46bd215556fc8e8a69ae879cfd30)
DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
![dif120sic053.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1424.43 грн |
2+ | 1250.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DIF120SIC053-AQ за ціною від 1420.64 грн до 5797.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIF120SIC053-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIF120SIC053-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIF120SIC053-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DIF120SIC053-AQ | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIF120SIC053-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |