![DHG30I1200HA DHG30I1200HA](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/B4/DA/60/00/0/437579_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=6c920e6a78d79ff59b57af372df48d932d267243)
DHG30I1200HA IXYS
![DHG30I1200HA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W
Mounting: THT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Technology: Sonic FRD™
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.95V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Max. forward impulse current: 200A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 340.08 грн |
3+ | 283.85 грн |
4+ | 225.04 грн |
11+ | 212.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DHG30I1200HA IXYS
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W, Mounting: THT, Power dissipation: 180W, Kind of package: tube, Type of diode: rectifying, Technology: Sonic FRD™, Features of semiconductor devices: fast switching, Case: TO247-2, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 1.95V, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 200ns, Max. forward impulse current: 200A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DHG30I1200HA за ціною від 207.68 грн до 416.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DHG30I1200HA | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 180W Mounting: THT Power dissipation: 180W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Technology: Sonic FRD™ Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.95V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 200ns Max. forward impulse current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DHG30I1200HA | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DHG30I1200HA | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |